

Beim Vakuumverfahren, auch Plasmaprozess (PE-CVD oder Bedampfung) genannt, wird der Wafer in der Vakuumkammer mit einer Antireflexionsschicht (SiN) versehen. Für eine optimierte Anlagerung von SiN-Schichten ist eine umfangreiche Optimierung von Prozessparametern erforderlich. Dadurch kann die Moduleffizienz verbessert werden. Um eine sichere und stabile Funktion zu gewährleisten, ist die Zuverlässigkeit der Messungen maßgeblich.

