Wafer Diffusions Prozesse
Nach dem Aufbringen von Phosphoratomen auf die Wafer-Oberfläche werden im Hochtemperatur-Diffusionsofen Atome in das Silizium diffundiert. Danach werden die Wafer mit einer n-Dotierung versehen. Um eine hohe Qualität dieses thermischen Verfahrens sicherzustellen, ist eine genaue und schnelle Temperaturregelung unverzichtbar.
Applikationen & Lösungen
Solar-Wafer müssen genau zentriert und ausgerichtet werden, damit sie auch richtig positioniert werden können....
>>
Bei Trocknungs-/ Brenn- und Metallisierungspro- zessen ist ein optimales Temperaturprofil mit schnellen Anstiegs-...
>>
Um Wafer in oder in der Nähe von Heizkammern erfassen zu können, muss der Sensorkopf hitzebeständig sein.
>>
Eine Lampenheizung ist für schnellen Temperaturanstieg geeignet, verursacht aber einen hohen...
>>
Sie sehen die Artikel 8 bis 11 von 11
