

Für das Aufbringen der Antireflexionsschicht und weiterer Halbleiterschichten wird meistens das PECVD- (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) Verfahren angewandt – es ist eines der entscheidendsten Verfahren zur Effizienzsteigerung.
Zum Aufbringen der TCO- (Transparent Conductive Oxide) und Rückseitenkontakt-Schichten (Aluminium usw.) wird in der Regel die Bedampfungstechnologie angewandt.
Diese Prozesse finden in einer Vakuumkammer statt.

