

Beim Photo-Lithografie-Prozess wird Photolack auf die Oberfläche der Wafer aufgebracht. Dann werden die Schaltkreisstrukturen mittels Belichtung durch eine Maske auf die Oberfläche des Wafers übertragen. Eine Optik reduziert die Größe der Strukturen auf Submikron-Ebene.
Nach der Belichtung wird die Wafer-Oberfläche entwickelt, um die licht-undurchlässige Schicht von der belichteten Struktur zu entfernen. Die Foto-lithografie ist einer der kritischsten Prozesse in der Halbleiterproduktion.

